我国8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆下线

最近，湖北九峰山实验室传来一个令人振奋的消息：他们成功研发出了全球首片8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆!这个成果非常了不起，被认为是目前全球硅基化合物光电集成最先进的技术。

那么这个8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆有什么特别之处呢?简单来说，它能够实现超低损耗、超高带宽的高端光芯片规模制造，是目前全球综合性能最优的光电集成芯片。这意味着我们的光通讯、量子通信等领域将迎来巨大的技术飞跃。

铌酸锂材料是一种非常出色的材料，它在滤波器、光通讯、量子通信、航空航天等领域都发挥着重要作用。但是，铌酸锂材料有一个缺点，就是脆性大，制备大尺寸铌酸锂晶圆非常困难。一直以来，业界对薄膜铌酸锂的研发主要集中在3寸、4寸、6寸晶圆的制备及片上微纳加工工艺上。

然而，九峰山实验室的工艺中心却成功破解了这个难题。他们采用了一种创新的方法，将8寸SOI硅光晶圆与8寸铌酸锂晶圆键合在一起，实现了单片集成光电收发功能。这一突破性的技术不仅解决了大尺寸铌酸锂晶圆制备工艺的难题，还为光子集成芯片领域提供了综合性能最优的解决方案。

近年来，由于5G通信、大数据、人工智能等行业的快速发展，光子集成技术受到了越来越多的关注。铌酸锂材料以其独特的物理性能和机械稳定性被认为是理想的光子集成材料。而单晶薄膜铌酸锂的出现，为解决光子集成芯片领域长期存在的低传输损耗、高密度集成以及低调制功耗需求提供了有力的支持。